介質(zhì)損耗角正切測量
    1.試驗(yàn)?zāi)康?br />     測量變壓器的介質(zhì)損耗角正切值tanδ主要用來檢查變壓器整體受潮、釉質(zhì)劣化、繞組上附著油泥及嚴(yán)重的局部缺陷等，是判斷31.5MVA以下變壓器絕緣狀態(tài)的一種較有效的手段。測量變壓器的介質(zhì)損耗角正切值是將套管連同在一起測量的，但是為了提高測量的準(zhǔn)確性和檢出缺陷的靈敏度，必要時(shí)可進(jìn)行分解試驗(yàn)，以判明缺陷所在位置。
    2.結(jié)果處理
    表4-4給出了《規(guī)程》規(guī)定tanδ測量值，測量結(jié)果要求與歷年數(shù)值進(jìn)行比較，變化應(yīng)不大于30%。當(dāng)采用電橋法測量時(shí)，對(duì)于工作電壓10kV及以上的繞組，試驗(yàn)電壓為10kV；對(duì)于工作電壓為10kV及其以下的繞組，試驗(yàn)電壓為額定電壓。當(dāng)采用M型試驗(yàn)器時(shí)，試驗(yàn)電壓通常采用2500V。

 3.注意事項(xiàng)
    測量溫度以頂層油溫為準(zhǔn)，盡量使每次測量的溫度相近。測量應(yīng)盡量在油溫低于50℃下進(jìn)行，不同溫度下(t1、t2)的tanδ值(tanδ1、tanδ2)可按如下工程簡化公式進(jìn)行換算：

    變壓器介質(zhì)損耗角正切測量結(jié)果常受表面泄露和外界條件(如干擾電場和大地條件)的影響，應(yīng)采取措施減少和消除這種影響。
    4.測量方法
    (1)平衡電橋測量方法
    由于變壓器外殼均直接接地，所以多采用QS-1型西林電橋的反接法進(jìn)行測量。對(duì)雙繞組和三繞組變壓器的測量部位見表5-5。

 對(duì)雙繞組變壓器測量tanδ及C時(shí)，接線如圖4-1所示。從上述接線方式中可以清晰地看出，測量所得的數(shù)據(jù)并不是各繞組的tanδ和C，需要在測量后進(jìn)行計(jì)算。

圖4-1   雙繞組變壓器測量tanδ及C接線方式
(a)高壓-低壓及地    (b)低壓-高壓及地     (c)(高壓+低壓)-地

 對(duì)于三繞組變壓器測量C及tanδ的接線方式如圖4-2所示。

圖4-2 三繞組變壓器C及tanδ測量接線圖
(a)高壓-中、低壓及地  (b)中壓-高、低壓及地   (c)低壓-高、中壓及地
(d)(高+中)壓-低壓及地；(e)(中+低)壓-高壓及地；
(f)(高+低)壓-中壓及地，(g)(高+中+低)壓-地

 可以推導(dǎo)出變壓器各繞組對(duì)地和變壓器繞組間的C和tanδ
    (2)、非平衡電橋測量法
    用非平衡電橋測量(M型介質(zhì)試驗(yàn)器)雙繞組和三繞組變壓器的tanδ，其測量順序和方法按表4-6所示方法進(jìn)行。測量時(shí)M型介質(zhì)試驗(yàn)器的試驗(yàn)電壓均為2500V。

 在雙繞組變壓器中，試驗(yàn)2直接測出高壓-地的tanδ，試驗(yàn)4直接測出低壓-地的tanδ。若試驗(yàn)1、2、3、4所測量的視在功率分別為S₁、S₂、S₃、S₄，有功功率分別為P₁、P₂、P₃、P₄，則高壓-低壓之間的。
    在三繞組變壓器中，試驗(yàn)2、4、6可直接測出高壓、低壓、中壓對(duì)地的tanδ。若試驗(yàn)1、2、3、4、5、6所測得的視在功率分別為S₁、S₂、S₃、S₄、S₅、S₆，有功功率分別為P₁、P₂、P₃、P₄、P₅、P₆，則高壓-低壓之間的，低壓-中壓之間的，中壓-高壓之間的。
    在電氣試驗(yàn)中容易出現(xiàn)的錯(cuò)誤接線分析
    根據(jù)《電力設(shè)備預(yù)防性試驗(yàn)規(guī)程》(DL/T596-1996)的規(guī)定， QSI型高壓西林電橋測量電力變壓器繞組介質(zhì)損耗因數(shù)的正確接線。其被試?yán)@組短接加高壓，非被試?yán)@組短接接地，以避免因繞組電感的影響而造成各側(cè)繞組端部和尾部電位差較大，影響測量的準(zhǔn)確度。
    常見的錯(cuò)誤接線為繞組不短接。應(yīng)用等值電路分析可知，所測得的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ’大于實(shí)際值tanδ。當(dāng)繞組兩端短接后再加壓時(shí)，則由于電容電流在電感性繞組內(nèi)方向相反，產(chǎn)生相互抵消的磁通，即電感L值極小，將不致產(chǎn)生太大的誤差。現(xiàn)場曾對(duì)某6.3MVA、220kV電力變壓器在不同接線的測量結(jié)果下表，繞組不短接測得的介質(zhì)損耗因數(shù)，明顯大于繞組短接后的測量值。

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來源：華電高科官方網(wǎng)站